HMDS預處理系統 HMDS-6020技術參數：
電源電壓：AC 220V±10%/50Hz±2%
輸入功率：1500W
控溫范圍：室溫+10℃-250℃
溫度分辨率：0.1℃
溫度波動度：±0.5℃
達到真空度：133Pa
容積：20L
工作室尺寸（mm）：300*300*275
外形尺寸（mm）：465*465*725
載物托架：1塊
時間單位：分鐘
選配件
真空泵：德國品牌，萊寶“DC”雙極系列旋片式油泵，極限真空高，噪音低，運行穩定。連接管：不銹鋼波紋管，完全密封將真空泵與烘箱連接。
HMDS預處理系統 HMDS-6020特點：
在半導體生產工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，涂膠質量直接影響到光刻的質量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況
HMDS預處理系統 HMDS-6020特點：
1、機外殼采用不銹鋼SUS304材質制造，內膽為不銹鋼316L材料制成；加熱器均勻分布在內膽外壁四周，內膽內無任何電氣配件及易燃易爆裝置。鋼化、防彈雙層玻璃門觀察工作室內物體一目了然。
2、箱門閉合松緊能調節，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內高真空度。
3、微電腦智能控溫儀，具有設定，測定溫度雙數字顯示和PID自整定功能，控溫精確，可靠。
4、智能化觸摸屏控制系統配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據不同制程條件改變程序，溫度，真空度及每一程序時間。
5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計，真空箱密封性能佳，確保HMDS氣體無外漏顧慮。
6、整個系統采用優質材料制造，無發塵材料，適用100 級光刻間凈化環境。
HMDS預處理烘箱的必要性：
在半導體生產工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環節，涂膠質量直接影響到光刻的質量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時濕法腐蝕容易發生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變為疏水，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著偶聯劑的作用。
HMDS預處理烘箱的原理：
HMDS預處理系統通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度、處理時間、處理時保持時間等參數可以在硅片、基片表面均勻涂布一層HMDS，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量，提高光刻膠與硅片的黏附性。
HMDS預處理烘箱的一般工作流程：
先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內真牢度達到某一高真空度后，開始充人氮氣，充到達到某低真空度后，冉次進行抽真空、充入氮氣的過程，到達設定的充入氮氣次數后，開始保持一段時間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時間后，停止充入 HMDS藥液，進入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后，再次開始抽真空。充入氮氣，完成整個作業過程。HMDS與硅片反應機理如圖：先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應。
尾氣排放等：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出，排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理。
